• La capacitación de compuerta MOS es básicamente la capacitación de compuerta a fuente de un MOSFET, la cual depende del área de dicha compuerta; este condensador exhibe una
  gran dependencia del voltaje, para eliminar este problema, se requiere un implante n+ adicional para formar la placa inferior de los condensadores.

• Si la concentración de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida también puede utilizarse como conductor.

• La Oxidación húmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce mejores características eléctricas.

• El silicio puede ser refinado por medio de técnicas bien establecidas de purificación y crecimiento de cristales.

• También sirve como barrera de protección contra la difusión de impurezas indeseables hacia el mineral adyacente de silicio de alta pureza.

• Pasos Generales de Fabricación de un Circuito Integrado formado por Silicio como componente activo[editar] Los pasos de fabricación básica se pueden realizar muchas veces,
  en diferentes combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento durante un turno de fabricación completo.

• Preparación de la oblea[editar] El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido
  de color gris acero Oxidación[editar] Se refiere al proceso químico de reacción del silicio con el oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2).

• El pozo se suele utilizar para resistencias de valor medio, mientras que las difusiones n+ y p+ son útiles para resistencias de valor bajo.

• Este elemento químico también exhibe propiedades físicas apropiadas para la fabricación de dispositivos activos con buenas características eléctricas, además es fácil de oxidar
  para formar un excelente aislante como el dióxido de silicio (SiO2).

• En el proceso de manufactura la difusión es un método mediante el cual se introducen átomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar
  el proceso de difusión de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 °C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado.

• Las áreas opuestas se ablandarán y podrán ser removidas con un químico, y de esta manera, producir con precisión geometrías de superficies muy finas.

 

Works Cited

[’33ohms. «¿Qué son los circuitos integrados?». Consultado el 12 de marzo de 2019. Photo credit: https://www.flickr.com/photos/matthiasb2009/12557176134/’]